TIC106D 国产替代Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Silicon Controlled Rectifier (SCR) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关断电压（V_DRM）：400V
重复峰值反向电压（V_RRM）：400V
通态电流（I_T(RMS)）：5A @ T_C=80℃
通态平均电流（I_T(AV)）：3.2A @ T_C=80℃
浪涌电流（I_TSM）：30A（不重复）
低门极触发电流：I_GT=0.2mA（Max）
玻璃钝化芯片，抗干扰能力强
封装：TO-220

TIC106D 是一款 400V/5A 单向可控硅（SCR），采用玻璃钝化工艺，适用于过压保护、电机控制、浪涌电流限制、电容放电点火及电压调节等各模式控制应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_TM (V)	Structure
TO-220	SCR	400	400	5	30	0.2	1.7	Silicon Thyristor (SCR)

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关断电压	400	V
V_RRM	重复峰值反向电压	400	V
I_T(RMS)	通态电流（有效值）@ T_C=80℃	5	A
I_T(AV)	通态平均电流 @ T_C=80℃	3.2	A
I_TSM	浪涌电流（不重复）	30	A
T_j	工作结温	-40 ~ 110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM Rated；I_G=0；T_C=110℃	--	400	mA
I_DRM	重复峰值关断电流	V_D=V_DRM Rated；T_C=110℃；R_GK=1KΩ	--	1	mA
V_TM	通态电压	I_TM=5A	--	1.7	V
I_GT	门极触发电流	V_AA=6V；R_L=100Ω；t_P≥20μs	--	0.2	mA
V_GT	门极触发电压	V_AA=6V；R_L=100Ω；t_P≥20μs；R_GK=1KΩ（T_C=-40℃）	--	1.2	V
V_GT	门极触发电压	同上（T_C=25℃）	0.4	1.0	V
V_GT	门极触发电压	同上（T_C=110℃）	--	0.2	V

应用

过压保护过压保护（Overvoltage Crowbar Protection）电路。
电机控制电动工具、厨房电器等的电机控制（Motor Control）电路。
浪涌限流浪涌电流限制（In-rush Current Limiting）电路。
点火与调压电容放电点火（Capacitive Discharge Ignition）与电压调节电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号