CLA30E1200PB 国产替代Silicon Controlled Rectifier（SCR）

Silicon Controlled Rectifier（SCR）｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：1200V
平均通态电流 I_T(AV)：30A @ T_C=150℃；通态电流有效值 I_T(RMS)：47A @ T_C=150℃
浪涌电流 I_TSM：300A（1/2 正弦波，50Hz，T_C=125℃）
通态峰值电压（V_TM）：1.3V（Max）@ I_TM=30A
门极触发电流（I_GT）：30mA（Max）；门极触发电压（V_GT）：1.3V（Max）@ V_D=6V
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.5℃/W
玻璃钝化结、中心门极触发，参数均匀性与稳定性好
封装：TO-220

CLA30E1200PB 是一款硅单向可控硅（SCR），采用平面钝化芯片与中心门极触发结构，具有低通态压降与长期稳定性，适用于工频整流、AC/DC 电机控制、电力变换器、照明与温度控制等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM (V)	V_RRM (V)	I_T(AV) (A)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	Structure
TO-220	SCR	1200	1200	30	47	300	30	1.3	Unidirectional Thyristor

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压（门极开路）	1200	V
V_RRM	重复峰值反向电压（门极开路）	1200	V
I_T(AV)	平均通态电流 @ T_C=150℃	30	A
I_T(RMS)	通态电流有效值 @ T_C=150℃	47	A
I_TSM	非重复浪涌电流（1/2 正弦波，50Hz，T_C=125℃）	300	A
P_G(AV)	平均门极耗散功率	0.5	W
T_J	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向/关态电流	V_RM=V_RRM，V_DM=V_DRM；T_VJ=25℃	--	0.01	mA
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向/关态电流	V_RM=V_RRM，V_DM=V_DRM；T_VJ=125℃	--	2.0	mA
V_TM	通态峰值电压	I_TM=30A，T_VJ=25℃	--	1.3	V
I_GT	门极触发电流	V_D=6V，T_VJ=25℃	--	30	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=6V，T_VJ=25℃	--	1.3	V

应用

开关应用功率开关与控制电路。
工频整流50/60Hz 工频整流电路。
电机控制AC 电机软启动控制与 DC 电机控制。
电力变换器电力变换器与电源变换装置。
照明与温控照明控制与温度控制电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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