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YZ21Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极电流（I_C）：5A（峰值 10A）
直流电流增益（h_FE）：2000（Min）@ I_C=2A
饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=2A，I_B=10mA
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
封装：TO-66

YZ21（150V 档，对应 YZ21E）是硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-66 金属封装，具有 150V/5A 的电压电流能力与 2000 以上的高直流电流增益，适用于通用放大与低速开关应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-66	Single-N (Darlington)	150	150	5	5	2.0	2000	4000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	150	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=10mA	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=10mA	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	2000	4000	--

应用

通用放大通用放大（General purpose amplifier）应用。
低速开关低速开关（Low speed switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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