Sensitive Gate SCR | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
X0403DF 是一款硅单向可控硅(SCR),采用 TO-202 封装,具有 400V 断态重复峰值电压与 2.5A 通态平均电流能力,属灵敏栅型器件,门极触发电流仅 200µA,可由 MCU 等低功耗逻辑电路直接驱动,通态压降低、抗干扰能力强,适用于小功率电机控制、点火电路、SMPS 撬棒保护与食品加工设备等场合,为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDRM (V) | IT(AV) (A) | IT(RMS) (A) | IGT (µA) | VGT (V) | VTM (V) | Tj (℃) | Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-202 | SCR | 400 | 2.5 | 4 | 200 | 0.8 | 1.8 | 150 | Silicon SCR |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDRM | 断态重复峰值电压 | 400 | V |
| VRRM | 反向重复峰值电压 | 400 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 2.5 | A |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 4 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 0.2 | W |
| Tj | 工作结温 | -40 ~ 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -40 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结到壳热阻 | 18 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IRRM | 反向重复峰值电流 | VRRM=400V;Tj=125℃ | -- | 200 | µA |
| IDRM | 断态重复峰值电流 | VDRM=400V;Tj=125℃ | -- | 200 | µA |
| IGT | 门极触发电流 | VD=12V;RL=100Ω;Tj=25℃ | -- | 200 | µA |
| VGT | 门极触发电压 | VD=12V;RL=100Ω;Tj=25℃ | -- | 0.8 | V |
| VTM | 通态峰值压降 | IT=8A;Tj=25℃ | -- | 1.8 | V |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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