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TTC3710B 国产替代NPN Power Transistor for High-Speed Switching

NPN Power Transistor for High-Speed Switching ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=80V（Min）
低饱和电压：V_CE(sat)≤0.4V @ I_C=6A
集电极电流（I_C）：12A（连续）/ 15A（峰值）
直流电流增益（h_FE）：120~240 @ I_C=1A
大电流高速开关
封装：TO-220（绝缘）

TTC3710B 是一款 80V/12A NPN 高速开关功率三极管，绝缘 TO-220 封装，饱和电压低至 0.4V、大电流增益保持性好，适合大电流开关应用，为 Toshiba 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	I_CP (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220（绝缘）	80	12	15	30	120~240	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CP	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	30	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=6.0A；I_B=0.3A	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=6.0A；I_B=0.3A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	5	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	5	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	120	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=1V	40	--	--

应用

大电流开关大电流开关应用（High current switching）。
功率驱动功率负载驱动与输出级。
DC-DC / 电源回路电源变换回路中的开关器件。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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