TTC0001Silicon NPN Triple Diffused Transistor

Silicon NPN Triple Diffused Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：160V
集电极电流（I_C）：18A（峰值 35A）
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：80 ~ 160 @ I_C=1A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=9A
与 TTA0001（PNP）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TTC0001 是一款硅 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-3P 封装，具有 160V/18A 的电压电流能力与 150W 的集电极耗散功率，h_FE 线性度好、饱和压降低，与 PNP 型 TTA0001 互补配对，适用于 100W 级高保真音频功放输出级与功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	160	160	5	18	2.0	80	160	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	18	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	35	A
I_B	基极电流	9	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	160	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	80	160	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=9A；V_CE=5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=9A；I_B=0.9A	--	2.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=9A；V_CE=5V	--	1.5	V

应用

音频功率放大音频功率放大（Power amplifier）应用。
100W 高保真功放输出级100W 高保真音频功放输出级（100-W high-fidelity audio output stage）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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