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TPDV1240 国产替代40A High Voltage Triac

40A High Voltage Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值断态/反向电压（V_DRM / V_RRM）：1200V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：40A @ T_C=75℃
非重复浪涌通态电流（I_TSM）：350A（t_p=10ms）
门极触发电流（I_GT）：200mA（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）
维持电流（I_H）：50mA（典型值）
通态电压（V_TM）：1.8V（Max）@ I_TM=35A
绝缘型 TO-3P 封装，安装免绝缘片
封装：TO-3P（绝缘）

TPDV1240 是一款 1200V / 40A 的高压双向可控硅，采用绝缘型 TO-3P 封装，采用高性能 alternistor 工艺，换向能力强、浪涌耐受高，适用于三相电网的感性负载（电机、变压器）功率控制与静态开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM,RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	I_H (mA)	V_TM (V)	T_j (℃)	Structure
TO-3P (Insulated)	Single	1200	40	350	200	50	1.8	-40 ~ 125	Silicon Triac

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值断态电压	1200	V
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
I_T(RMS)	通态均方根电流（180° 导通角）@ T_C=75℃	40	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（t_p=10ms）	350	A
P_G(AV)	门极平均耗散功率（T_j=125℃）	1	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.2	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻	50	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_j=25℃	--	20	µA
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=V_RRM；T_j=125℃	--	8	mA
I_DRM	重复峰值断态电流	V_D=V_DRM；T_j=25℃	--	20	µA
I_DRM	重复峰值断态电流	V_D=V_DRM；T_j=125℃	--	8	mA
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	200	mA
V_GT	门极触发电压（全象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	1.5	V
I_H	维持电流	I_T=0.5A；门极开路	--	50	mA
V_TM	通态电压	I_TM=35A；t_p=380µs	--	1.8	V

应用

三相电机控制感应电机调速与软起动的主开关。
变压器原边控制大功率变压器的通断与相位控制。
工业加热控制大功率阻性/感性加热负载的调功。
静态开关 / 固态继电器高压交流回路的无触点切换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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