TPDV1225 国产替代High Voltage Triac

High Voltage Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

最大阻断电压（V_DRM/V_RRM）：1200V
通态电流（I_T(RMS)）：25A @ T_C=85℃
不重复浪涌电流（I_TSM）：390A（t_p=2.5ms）/ 250A（8.3ms）/ 230A（10ms）
门极触发电流（I_GT）：≤150mA，触发电压（V_GT）≤1.5V
高换向能力：(dI/dt)_c 达 88A/ms @ (dV/dt)_c=200V/µs
静态 dV/dt：2000V/µs（Min）
封装：TOP3（绝缘，V_ins=2500V RMS）

TPDV1225 是一款 1200V/25A 高压三端双向可控硅，TOP3 绝缘封装（绝缘电压 2500V RMS），采用高性能玻璃钝化 alternistor 技术，换向能力强、浪涌耐量高，特别适合电感性负载（电机、变压器）功率控制及三相电网中的加热系统、电机启动与风扇调速等应用，为 ST 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	T_j (℃)
TOP3（绝缘）	1200	25	390/250/230	≤150	≤1.5	-40~125

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM / V_RRM	重复峰值断态/反向电压（T_j=125℃）	1200	V
I_T(RMS)	通态有效值电流（180° 导通角，T_C=85℃）	25	A
I_TSM	不重复浪涌峰值通态电流（T_j 初始 25℃）	390（2.5ms）/ 250（8.3ms）/ 230（10ms）	A
I²t	熔断 I²t 值（t_p=10ms）	265	A²s
dI/dt	通态电流临界上升率（重复，50Hz）	100	A/µs
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃
V_ins(RMS)	绝缘电压（各端子到壳，1 分钟）	2500	V

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻（直流）	1.5	℃/W
R_th(j-c)	结到壳热阻（360° 导通，50Hz 交流）	1.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_GT	门极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	150	mA
V_GT	门极触发电压（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=33Ω	--	1.5	V
V_GD	门极不触发电压	V_D=V_DRM；R_L=3.3kΩ；T_j=125℃	0.2	--	V
t_gt	门极触发至导通时间	V_D=V_DRM；I_G=500mA；dI_G/dt=3A/µs	--	2.5	µs
I_H	维持电流	I_T=500mA；门极开路	--	50	mA
V_TM	通态峰值电压	I_TM=35A；t_p=380µs	--	1.8	V
I_DRM / I_RRM	断态/反向重复峰值电流	V_DRM=V_RRM 额定；T_j=25℃	--	20	µA
I_DRM / I_RRM	断态/反向重复峰值电流	V_DRM=V_RRM 额定；T_j=125℃	--	8	mA
dv/dt	断态电压临界上升率	线性斜率至 67% V_DRM；门极开路；T_j=125℃	2000	--	V/µs

应用

三相功率控制三相电网功率控制（Three-phase power control）。
加热系统加热系统功率调节（Heating systems）。
电机启动与调速感应电机启动与风扇调速（Motor starters，induction motor speed control）。
感性负载控制电机、变压器等感性负载功率控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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