当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

TK20J60W 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：600V
漏极电流（I_D）：20A @ T_C=25℃（单脉冲 80A）
导通电阻：R_DS(on)≤155mΩ @ V_GS=10V，I_D=10A
栅源电压（V_GSS）：±30V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.7 ~ 3.7V
总耗散功率（P_D）：165W @ T_C=25℃
100% 雪崩测试，批次一致性好
沟道-壳热阻（R_th(ch-c)）：0.757℃/W
封装：TO-3P(N)

TK20J60W 是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，具有 600V/20A 的电压电流能力与 155mΩ 的低导通电阻，栅极驱动容易、经 100% 雪崩测试，适用于开关稳压器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3P	600	±30	20	80	165	155 mΩ	2.7 ~ 3.7	Silicon N-channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	600	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	80	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	165	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道-壳热阻	0.757	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=10mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	2.7	3.7	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=10A	--	155	mΩ
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±1	µA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=600V；V_GS=0V	--	100	µA
V_SDF	二极管正向电压	I_DR=20A；V_GS=0V	--	1.7	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching Voltage Regulators）应用。
开关电源开关电源（SMPS）应用。
功率开关功率开关与逆变（Power switching / Inverter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号