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TIP42A 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极电流（I_C）：-6A（脉冲 -10A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.5V（Max）@ I_C=-6A
直流电流增益：h_FE=30（Min）@ I_C=-0.3A
与 TIP41A 互补，100% 雪崩测试
封装：TO-220

TIP42A 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -60V/-6A 的电压电流能力与 -1.5V 的低饱和压降，与 NPN 型 TIP41A 互补配对，适用于通用功率放大与开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	60	60	5	6	1.5	15	75	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-10	A
I_B	基极电流	-2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.67	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	57	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-6A；I_B=-0.6A	--	-1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-6A；V_CE=-4V	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-0.4	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.3A；V_CE=-4V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	15	75	--
f_T	特征频率（增益带宽积）	I_C=-0.5A；V_CE=-10V	--	3	MHz

应用

通用功率放大器通用功率放大器（General Purpose Power Amplifier）应用。
通用开关应用通用开关（General Purpose Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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