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TIP35C 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.8V（Max）@ I_C=15A
集电极电流（I_C）：25A；基极电流（I_B）：5A
总耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：25（Min）@ I_C=1.5A，V_CE=4V
与 TIP36C 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
封装：TO-247

TIP35C 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降与高增益性能，适用于开关应用与通用功率放大，与 TIP36C 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-247	Single-N	100	100	5	25	1.8	15	75	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0A	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V，I_B=0A	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0A	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1.5A，V_CE=4V	25	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=15A，V_CE=4V	15	75	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A，I_B=1.5A	--	1.8	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A，I_B=5.0A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=15A，V_CE=4V	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=25A，V_CE=4V	--	4.0	V

应用

开关应用开关应用（Switching Applications）。
通用功率放大通用功率放大器（General-Purpose Power Amplifier）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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