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TIP31C 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：3A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.2V（Max）@ I_C=3A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
与 TIP32C（PNP）互补配对
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.125℃/W
封装：TO-220C

TIP31C 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 100V/3A 的电压电流能力与 1.2V 的低饱和压降，与 PNP 型 TIP32C 互补配对，适用于开关电路与通用功率放大等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	100	100	5	3	1.2	10	50	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_B	基极电流	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	100	--	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0A	--	--	0.3	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0A	--	--	200	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1.0A；V_CE=4.0V	25	--	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=3.0A；V_CE=4.0V	10	--	50	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3.0A；I_B=0.375A	--	--	1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=3.0A；V_CE=4.0V	--	--	1.8	V

应用

开关应用开关（Switching）应用。
通用功率放大器通用功率放大器（General-Purpose Power Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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