当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

TIP3055 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：60V（Min）@ I_C=30mA
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.1V（Max）@ I_C=4A
集电极电流（I_C）：15A；基极电流（I_B）：7A
集电极耗散功率（P_C）：90W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：20 ~ 70 @ I_C=4A，V_CE=4V
优异的安全工作区（SOA）
与 TIP2955 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.39℃/W；结-环境热阻（R_{th j-a}）：35.7℃/W
封装：TO-3PN

TIP3055 是一款硅 NPN 功率三极管，具有优异的安全工作区与 15A 大电流能力，适用于通用开关与放大器应用，与 TIP2955 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	100	60	7	15	1.1	20	70	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	90	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.39	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	35.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA，I_B=0	60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A，I_B=0.4A	--	1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A，I_B=3.3A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A，V_CE=4V	--	1.8	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V，I_B=0	--	0.7	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V，I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V，I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=4A，V_CE=4V	20	70	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10A，V_CE=4V	5	--	--
I_s/b	基极正偏二次击穿集电极电流	V_CE=30V，t=1.0s，非重复	3.0	--	A
f_T	电流增益带宽积	I_C=0.5A，V_CE=10V，f=1.0MHz	2.5	--	MHz

应用

通用开关通用开关（Switching）应用。
放大器通用放大（Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号