TIP152 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：400V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
集电极电流（I_C）：7A，基极电流 1.5A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
高增益达林顿结构：h_FE=150（Min）@ I_C=2.5A
饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
反向偏置安全工作区（RBSOA）400V / 7A
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP152 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 400V 集电极-发射极电压与 7A 集电极电流能力，耗散功率 80W，达林顿结构带来极高的电流增益（h_FE≥150 @ 2.5A），可直接由低电平信号驱动，适用于汽车点火、电机控制、开关电源与通用功率开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N (Darlington)	400	400	8	7	1.5	150	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_B	基极电流（连续）	1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结到壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=400V；I_B=0	--	250	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=8V；I_C=0	--	15	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2.5A；V_CE=5V	150	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5.0A；V_CE=5V	50	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=7.0A；V_CE=5V	15	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=10mA	--	1.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.0A；I_B=100mA	--	1.5	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=5.0A；I_B=250mA	--	2.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=2.0A；I_B=100mA	--	2.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=5.0A；I_B=250mA	--	2.3	V

应用

汽车点火汽车电子点火系统的达林顿驱动应用。
电机控制直流电机调速与转向控制的功率驱动应用。
开关电源高压开关电源的功率开关应用。
通用功率开关继电器、电磁阀与照明负载的开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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