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TIP147Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-10A
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：1000（Min）@ I_C=-5A
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A
与 TIP140（NPN）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP147 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，内部集成基极-发射极分流电阻，具有 -100V/-10A 的电压电流能力与 h_FE≥1000 的高电流增益，饱和压降低，与 NPN 型 TIP140 互补配对，适用于开关电路与通用功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	100	100	5	10	2.0	1000	--	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-5.0A；V_CE=-4.0V	1000	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4.0V	500	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5.0A；I_B=-10mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-3.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-4.0V	--	-3.0	V

应用

开关应用开关（Switching applications）应用。
通用功率放大通用功率放大（General-purpose power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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