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TIP137 国产替代PNP Silicon Power Darlington

PNP Silicon Power Darlington ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-100V
集电极电流（I_C）：-8A
高直流电流增益：h_FE = 1000 ~ 15000 @ I_C=-4A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ -2.0V @ I_C=-4A，I_B=-16mA
TO-220 封装，25℃ 壳温下耗散 70W
与 TIP132（NPN）互补

PNP 硅外延基区功率达林顿晶体管，用于工业设备的线性放大与开关电路，常与 TIP132 组成互补推挽输出级。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	PNP 达林顿	-100	-100	-8	70	≥500	-2.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_B	基极电流（连续）	-0.3	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	70	W
T_J	结温范围	-65~150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	1.78	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA; I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-50V; I_B=0	--	-0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V; I_E=0	--	-0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V; I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-1.0A; V_CE=-4.0V	500	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-4.0A; V_CE=-4.0V	1000	15000	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-4.0A; I_B=-16mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-6.0A; I_B=-30mA	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4.0A; V_CE=-4.0V	--	-2.5	V

应用

线性稳压与串联调整PNP 达林顿作调整管，可直接由前级小信号管驱动。
音频功放输出级与 TIP132 互补组成推挽输出，用于工业与车机音频设备。
继电器与灯负载驱动高增益降低前级驱动电流需求。
电机调速与开关适合工业设备中的感性负载通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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