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TIP127 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压 V_CEO(SUS)：-100V（Min）
集电极电流 I_C：-5A 连续，I_CM：-8A 峰值
高直流电流增益 h_FE ≥1000 @ I_C=-3A
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤-2.0V @ I_C=-3A，≤-4.0V @ I_C=-5A
总耗散功率 P_C：65W @ T_C=25℃
内置基极-发射极分流电阻的单片结构
封装：TO-220AB

TIP127 是一款 -100V/-5A PNP 达林顿功率三极管，TO-220AB 封装，h_FE 高达 1000 以上、驱动电流极小，适合通用放大与低速开关场合，常与 TIP122（NPN）互补使用，为 onsemi / ST 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-220AB	-100	-5	-8	65	≤-4.0	1000	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-8	A
I_B	基极电流（直流）	-120	mA
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	65	W
P_C	集电极耗散功率（T_a=25℃）	2	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.92	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-12mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-20mA	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-3.0A；V_CE=-3V	--	-2.5	V
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-3V	1000	--	--

应用

通用放大器通用音频与信号放大（General purpose amplifier）。
低速开关低速功率开关（Low speed switching）。
继电器 / 电磁阀驱动大电流继电器、电磁阀与灯组驱动。
线性稳压 / 电机驱动线性电源调整管与小型直流电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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