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TIP126Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-80V
集电极电流（I_C）：-5A（峰值 -8A）
集电极耗散功率（P_tot）：65W @ T_C=25℃；2W @ T_a=25℃
极高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=-3A，V_CE=-3V
饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-3A；-4.0V（Max）@ I_C=-5A
内置基极-发射极分流电阻，与 TIP120/121/122（NPN）互补
封装：TO-220

TIP126 是一款 -80V / -5A / 65W 的 PNP 单片达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装，内置基极-发射极分流电阻，电流增益高达 1000，与 TIP120/121/122（NPN）互补，适用于通用放大与低速开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_tot (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-220	Single-P Darlington	-80	-80	-5	65	-2.0	1000	-65 ~ 150	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p≤0.3ms）	-8	A
I_B	基极电流（连续）	-0.1	A
P_tot	耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
P_tot	耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_j	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-80	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-12mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-20mA	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-3A；V_CE=-3V	--	-2.5	V
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-3V	1000	--	--

应用

继电器 / 电磁阀驱动高增益达林顿直接由逻辑电平驱动。
音频与通用放大与 TIP120/121/122 互补的推挽输出级。
低速开关灯、电机等低压大电流负载的通断。
线性稳压PNP 达林顿调整管，压差低。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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