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TIP122 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压：V_CEO(SUS)=100V（Min）
高直流电流增益（达林顿结构）：h_FE=1000（Min）@ I_C=3A，V_CE=3V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=3A
集电极电流（I_C）：5A（脉冲 8A）
总耗散功率（P_C）：65W @ T_C=25℃
与 TIP125/126/127 系列 PNP 型互补
封装：TO-220

TIP122 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有高直流电流增益与低集电极饱和压降，适用于通用放大器与低速开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N (Darlington)	100	100	5	5	2.0	1000	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（TIP122，发射极开路）	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压（TIP122，基极开路）	100	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	5	V
I_C	集电极电流（DC）	5	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	8	A
I_B	基极电流（DC）	120	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_j=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压（TIP122）	I_C=0.1A，I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A，I_B=12mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=20mA	--	4.0	V
V_BE	基极-发射极导通电压	I_C=3.0A；V_CE=3V	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流（TIP122）	V_CB=100V，I_E=0	--	0.2	mA
I_CEO	集电极截止电流（TIP122）	V_CE=50V，I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=3V	1000	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3.0A；V_CE=3V	1000	--	--
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V，f=0.1MHz	--	200	pF

应用

通用放大通用放大器（General-Purpose Amplifier）应用。
低速开关低速开关（Low-Speed Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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