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TIP107 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
达林顿结构，高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=-3A
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-3A
集电极电流（I_C）：-8A（脉冲 -15A）；基极电流（I_B）：-1A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
与 TIP102 互补
封装：TO-220

TIP107 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，具有高直流电流增益与低饱和压降，适用于通用放大器与高压开关应用，与 TIP102 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P (Darlington)	-100	-100	-5	-8	-2.0	1000	20000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	-15	A
I_B	基极电流	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	2.0	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-6mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-80mA	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-8A；V_CE=-4V	--	-2.8	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-50	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-8	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	1000	20000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	200	--	--

应用

高压开关高压开关（High-Voltage Switching）应用。
通用放大通用放大器（General-Purpose Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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