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TIC236NSilicon Triac

Silicon Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM）：800V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：12A @ T_C=70℃
浪涌电流（I_TSM）：100A（50Hz 全正弦波）
门极触发电流（I_GT）：50mA（Max，Q1~Q3）
维持电流（I_H）：40mA（Max）
通态压降（V_TM）：2.1V（Max）@ I_TM=±17A
封装：TO-220（1 MT1 / 2 MT2 / 3 门极）

TIC236N 是一款硅三端双向可控硅（TRIAC），采用 TO-220 封装，具有 800V 断态重复峰值电压、12A 通态均方根电流与 100A 浪涌电流能力，可双向导通，适用于交流调压、加热控制与电机调速等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	I_H (mA)	V_TM (V)	T_C (℃)
TO-220	800	12	100	50	2	40	2.1	-40 ~ 110

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	800	V
I_T(RMS)	通态均方根电流 @ T_C=70℃	12	A
I_TSM	峰值通态浪涌电流（50Hz 全正弦波，T_C=25℃）	100	A
I_GM	峰值门极电流	±1	A
T_C	工作壳温	-40 ~ 110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_DRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM；I_G=0；T_C=110℃	--	±2	mA
I_GT	门极触发电流	V_supply=±12V；R_L=10Ω；Q1~Q3	--	50	mA
V_GT	门极触发电压	V_supply=±12V；R_L=10Ω	--	2	V
I_H	维持电流	V_supply=±12V；I_G=0；初始 I_TM=±100mA	--	40	mA
V_TM	通态压降	I_TM=±17A；I_G=50mA	--	2.1	V

应用

交流调压交流相位控制与调压（AC phase control）应用。
加热控制加热控制（Heating controls）应用。
电机调速交流电机调速（Motor speed control）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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