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TIC226M 国产替代Triac

Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值关态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：600V
通态方均根电流（I_T(RMS)）：8A @ T_C=85℃（全波导通）
浪涌（非重复）通态电流（I_TSM）：70A
栅极触发电流（I_GT）≤50mA（典型 2 ~ 20mA，分象限）
栅极触发电压（V_GT）≤2V（全象限）
通态压降（V_TM）：2.1V（Max）@ I_T=12A
玻璃钝化芯片，TO-220 封装

TIC226M 是 600V 双向可控硅（TRIAC），具有 8A 通态方均根电流与 70A 浪涌电流能力，四个象限均可触发，适用于电机控制、工业与家用照明、加热控制及静态开关等高温大电流应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM,V_RRM	I_T(RMS)	I_TSM	I_GT (Max)	V_GT (Max)	I_H	V_TM	T_j
TO-220	600 V	8 A @T_C=85℃	70 A	≤50 mA	≤2 V	30 mA	2.1 V @I_T=12A	110 ℃

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值关态电压	600	V
V_RRM	重复峰值反向电压	600	V
I_T(RMS)	通态方均根电流（全正弦波，T_C=85℃）	8	A
I_TSM	浪涌（非重复）通态电流	70	A
T_j	工作结温	110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.8	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_DRM	重复峰值关态电流	V_D=V_DRM；T_C=110℃	--	2.0	mA
I_GT Ⅰ	栅极触发电流（象限Ⅰ，典型/最大）	V_supply=12V；R_L=10Ω；t_p(g)>20µs	2	50	mA
I_GT Ⅱ	栅极触发电流（象限Ⅱ，典型/最大）	V_supply=12V；R_L=10Ω；t_p(g)>20µs	12	50	mA
I_GT Ⅲ	栅极触发电流（象限Ⅲ，典型/最大）	V_supply=12V；R_L=10Ω；t_p(g)>20µs	9	50	mA
I_GT Ⅳ	栅极触发电流（象限Ⅳ，典型）	V_supply=12V；R_L=10Ω；t_p(g)>20µs	20	--	mA
I_H	维持电流	V_supply=12V；I_G=0；初始 I_TM=100mA	--	30	mA
V_GT	栅极触发电压（全象限）	V_supply=12V；R_L=10Ω；t_p(g)>20µs	--	2	V
V_TM	通态压降	I_T=12A；I_G=50mA	--	2.1	V

应用

电机控制电机控制（Motor Control）应用。
照明控制工业与家用照明控制（Lighting Control）应用。
加热控制加热控制（Heating Control）应用。
静态开关静态开关（Static Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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