Sensitive Gate Triac | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
TIC206M 是一款 4A 灵敏栅双向可控硅(TRIAC),断态重复峰值电压 600V,采用玻璃钝化芯片与 TO-220 封装,栅极触发电流低至 5mA,600V 耐压可覆盖 220V 市电的峰值与浪涌余量,适用于交流电机调速、灯光调光、家电控制与固态继电器等交流相位控制场合。
| Package | Type | VDRM (V) | IT(RMS) (A) | ITSM (A) | IGT (mA) | VT (V) | TC (℃) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Sensitive Gate | 600 | 4 | 25 | 5 | ±2.2 | -40~110 | Silicon Triac |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDRM | 断态重复峰值电压 | 600 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 @ TC≤85℃ | 4 | A |
| ITSM | 非重复通态浪涌电流(全正弦,TC≤25℃) | 25 | A |
| IGM | 峰值栅极电流 | ±0.2 | A |
| PGM | 峰值栅极耗散功率 | 1.3 | W |
| PG(AV) | 平均栅极耗散功率 | 0.3 | W |
| TC | 工作壳温范围 | -40 ~ 110 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -40 ~ 125 | ℃ |
| TL | 引脚焊接温度(距壳体 1.6mm,10s) | 230 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 7.8 | ℃/W |
| Rth j-a | 结-环境热阻 | 62.5 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IDRM | 重复峰值断态电流 | VD=额定 VDRM;IG=0;TC=110℃ | -- | ±1 | mA |
| IGT(Q1) | 栅极触发电流 | VS=+12V;RL=10Ω | -- | 5 | mA |
| IGT(Q2) | 栅极触发电流 | VS=-12V;RL=10Ω | -- | -5 | mA |
| IGT(Q3) | 栅极触发电流 | VS=-12V;RL=10Ω | -- | -5 | mA |
| IGT(Q4) | 栅极触发电流 | VS=+12V;RL=10Ω | -- | 10 | mA |
| VGT(Q1/Q4) | 栅极触发电压 | VS=+12V;RL=10Ω | -- | 2 | V |
| VGT(Q2/Q3) | 栅极触发电压 | VS=-12V;RL=10Ω | -- | -2 | V |
| VT | 通态电压 | IT=±4.2A;IG=50mA | -- | ±2.2 | V |
| IH | 维持电流 | VS=±12V;IG=0;ITM初始=±100mA | -- | ±15 | mA |
| IL | 擎住电流 | VS=±12V;IG=0 | -- | 30 | mA |
| dv/dt | 断态电压临界上升率 | VDRM=额定值;IG=0;TC=110℃ | ±20 | -- | V/μs |
| dv/dt(c) | 换向电压临界上升率 | VDRM=额定值;ITRM=±4.2A;TC=85℃ | ±1 | ±3 | V/μs |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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