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TIC116MSilicon Controlled Rectifier

Silicon Controlled Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）：600V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：8A @ T_C=70℃
平均通态电流（I_T(AV)）：5A（180°导通角）
通态浪涌电流（I_TM）：80A
门极触发电流（I_GT）：20mA（Max）
通态压降（V_TM）：1.7V @ I_T=8A
封装：TO-220（1 阴极 / 2 阳极 / 3 门极）

TIC116M 是一款硅单向可控硅（SCR），采用 TO-220 封装，具有 600V 断态重复峰值电压、8A 通态均方根电流与 80A 浪涌电流能力，门极触发电流仅 20mA，适用于加热控制、大功率电机控制与大功率开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM,V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_T(AV) (A)	I_TM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	V_TM (V)	T_J (℃)
TO-220	600	8	5	80	20	2.5	1.7	-40 ~ 125

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	600	V
V_RRM	反向重复峰值电压	600	V
I_T(RMS)	通态均方根电流 @ T_C=70℃	8	A
I_T(AV)	平均通态电流（180°导通角）	5	A
I_TM	通态浪涌电流（单半波 50Hz）	80	A
I_GM	峰值门极电流	3	A
P_G(AV)	门极平均耗散功率	1	W
T_J	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	反向重复峰值电流	V_R=V_RRM；T_J=25℃	--	2	mA
I_DRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM；T_J=25℃	--	2	mA
I_GT	门极触发电流	V_D=6V；R_L=100Ω	--	20	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=6V；R_L=100Ω；全象限	--	2.5	V
V_TM	通态压降	I_T=8A；t_p=380µs	--	1.7	V

应用

加热控制加热控制（Heating controls）应用。
大功率电机控制大功率电机控制（High power motor control）应用。
大功率开关大功率开关（High power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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