TIC106N 国产替代Sensitive Gate SCR

Sensitive Gate SCR ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

重复峰值断态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：800V
通态有效电流（I_T(RMS)）：5A @ T_C=80℃
通态平均电流（I_T(AV)）：3.2A（180° 导通角）
浪涌通态电流（I_TSM）：30A
门极触发电流（I_GT）：5~200µA（灵敏门极）
门极触发电压（V_GT）：≤1.0V @ T_C=25℃
玻璃钝化芯片，TO-220 封装

TIC106N 是一款 800V/5A 灵敏门极单向晶闸管（SCR），TO-220 封装，门极触发电流仅 200µA、触发电压 1V，可直接由逻辑电路驱动，适合交流电机相控调速、固态继电器、调光、过压撬棒保护等场合，为 Bourns（原 Power Innovations）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(AV) (A)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	V_TM (V)	I_GT (µA)	V_GT (V)	T_C (℃)
TO-220	800	3.2	5	30	1.7	≤200	≤1.0	-40~110

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值断态电压	800	V
V_RRM	重复峰值反向电压	800	V
I_T(RMS)	通态有效电流（T_C≤80℃）	5	A
I_T(AV)	通态平均电流（180° 导通角，T_C≤80℃）	3.2	A
I_TSM	浪涌通态电流（T_C≤25℃）	30	A
I_GM	峰值正向门极电流（脉宽≤300µs）	0.2	A
P_GM	峰值门极耗散功率（脉宽≤300µs）	1.3	W
P_G(AV)	平均门极耗散功率	0.3	W
T_C	工作壳温	-40 ~ 110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃
T_L	引脚焊接温度（距壳 1.6mm，10s）	230	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.5	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_DRM	重复峰值断态电流	V_D=额定 V_DRM；R_GK=1kΩ；T_C=110℃	--	400	µA
I_RRM	重复峰值反向电流	V_R=额定 V_RRM；I_G=0；T_C=110℃	--	1	mA
I_GT	门极触发电流	V_AA=12V；R_L=100Ω；t_p≥20µs	5	200	µA
V_GT	门极触发电压	V_AA=12V；R_L=100Ω；T_C=25℃	--	1.0	V
I_H	维持电流	V_AA=12V；I_T=10mA；T_C=25℃	--	5	mA
V_T	通态峰值电压	I_T=5A	--	1.7	V
dv/dt	临界断态电压上升率	V_D=额定；R_GK=1kΩ；T_C=110℃	10	--	V/µs

应用

交流电机相控调速工业与家电交流电机相控调速（Phase-angle control of AC motors）。
固态继电器交流输出固态继电器的主开关元件（Solid-state relays）。
调光 / 调温白炽灯与卤素灯调光、加热调温（Lighting dimmers、heating control）。
过压撬棒保护电源过压撬棒保护（Over-voltage crowbar protection）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号