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TIC106M 国产替代Silicon Controlled Rectifier

Silicon Controlled Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压 V_DRM：600V
反向重复峰值电压 V_RRM：600V
通态均方根电流 I_T(RMS)：5A @ T_C=80℃
通态平均电流 I_T(AV)：3.2A（180° 导通角）
浪涌电流 I_TSM：30A
门极触发电流 I_GT：200µA（Max）
玻璃钝化芯片，批次一致性高
封装：TO-220

TIC106M 是一款 600V/5A 的硅可控硅（SCR），采用玻璃钝化工艺，门极触发电流低至 200µA，灵敏度高、批次一致性好，适用于过压保护（Crowbar）、电机控制、浪涌电流限制、电容放电点火及电压调节等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	T_j (℃)
TO-220	600	5	30	0.2	-40 ~ 110

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	600	V
V_RRM	反向重复峰值电压	600	V
I_T(RMS)	通态均方根电流 @ T_C=80℃	5	A
I_T(AV)	通态平均电流 @ T_C=80℃	3.2	A
I_TSM	浪涌（非重复）通态电流	30	A
I_GM	门极正向峰值电流（t_p≤300µs）	0.2	A
P_GM	门极峰值功耗（t_p≤300µs）	1.3	W
P_G(AV)	门极平均功耗	0.3	W
T_j	工作结温	-40 ~ 110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 125	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	反向重复峰值电流	V_R=V_RRM；I_G=0；T_C=110℃	--	400	mA
I_DRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM；T_C=110℃；R_GK=1kΩ	--	1	mA
V_TM	通态电压	I_TM=5A	--	1.7	V
I_GT	门极触发电流	V_AA=6V；R_L=100Ω；t_p≥20µs	--	0.2	mA
V_GT	门极触发电压	V_AA=6V；R_L=100Ω；T_C=25℃	0.4	1.0	V
V_GT	门极触发电压	同上条件；T_C=-40℃	0.4	1.2	V

应用

过压保护（Crowbar）电源输出过压时的撬棒保护电路。
电机控制电动工具、厨房电器等电机调速控制电路。
浪涌电流限制上电浪涌电流限制（In-rush current limiting）。
电容放电点火电容放电点火电路（CDI）。
电压调节交流调压、稳压电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

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