T1210-600G 国产替代Snubberless Triac

Snubberless Triac ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）：600V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：12A @ T_c=105℃
非重复浪涌电流（I_TSM）：120A（50Hz，20ms）
栅极触发电流（I_GT）：10mA（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 三象限）
维持电流（I_H）：15mA；擎住电流（I_L）：25/30mA
通态压降：V_TM=1.55V（Max）@ I_T=17A
断态电压临界上升率（dV/dt）：40V/µs
Snubberless（免缓冲）设计，适合感性负载
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.4℃/W
封装：TO-220AB（1 MT1 / 2 MT2 / 3 栅极）

T1210-600G 是一款 12A/600V 免缓冲（Snubberless）双向可控硅，采用 TO-220AB 封装与钳位焊接低热阻设计，具有 10mA 的低栅极触发电流、120A 的浪涌能力与 40V/µs 的断态电压临界上升率，适用于静态继电器、电机启动电路、加热调节与调光等交流功率开关与相位控制场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	I_H (mA)	V_TM (V)	dV/dt (V/µs)	T_j (℃)	Structure
TO-220AB	600	12	120	10	15	1.55	40	125	Silicon Triac

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	600	V
V_RRM	反向重复峰值电压	600	V
I_T(RMS)	通态均方根电流 @ T_c=105℃	12	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（t_p=20ms，f=50Hz）	120	A
I²t	熔断 I²t（t=10ms）	78	A²s
dl/dt	通态电流临界上升率（I_G=2×I_GT）	50	A/µs
I_GM	峰值栅极电流（t_p=20µs）	4	A
P_G(AV)	平均栅极耗散功率	1	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻（AC）	1.4	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_DRM	断态重复峰值电流	V_D=V_DRM	--	5	µA
I_RRM	反向重复峰值电流	V_R=V_RRM	--	5	µA
I_GT	栅极触发电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=30Ω	--	10	mA
V_GT	栅极触发电压（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	V_D=12V；R_L=30Ω	--	1.3	V
I_H	维持电流（Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ 象限）	I_T=100mA	--	15	mA
I_L	擎住电流（Ⅰ/Ⅲ 象限）	I_G=1.2×I_GT	--	25	mA
I_L	擎住电流（Ⅱ 象限）	I_G=1.2×I_GT	--	30	mA
V_TM	通态峰值电压	I_T=17A；t_p=380µs	--	1.55	V
V_TO	通态阈值电压	T_j=125℃	--	0.85	V
dV/dt	断态电压临界上升率	V_D=2/3V_DRM；T_j=125℃；栅极开路	40	--	V/µs

应用

交流功率开关交流功率开关（Power AC switching）应用。
电机启动电路电机启动电路（Motor starting circuit）应用。
静态继电器静态继电器（Static relays）应用。
加热调节 / 调光加热调节与灯光调光等相位控制应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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