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SUM09N20-270 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：200V
漏极电流 I_D：9A @ T_C=25℃
导通电阻 R_DS(on)：0.27Ω @ V_GS=10V
总耗散功率 P_D：60W @ T_C=25℃
TrenchFET 工艺，175℃ 工作结温
栅源电压 V_GS：±20V
封装：TO-263（D²PAK）

SUM09N20-270 是一款 200V/9A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET 工艺，导通电阻 0.27Ω、结温可达 175℃，适用于电机驱动、DC-DC 转换、电源开关及电磁阀驱动等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	T_j (℃)
TO-263	200	9	0.27	60	-55 ~ 175

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DS	漏源电压	200	V
V_GS	栅源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	9	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	10	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
P_D	总耗散功率 @ T_A=25℃	3.75	W
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻（漏极）	2.5	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻（PCB 安装）	40	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	200	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=160V；V_GS=0V	--	1	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=250µA	2	4	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=5A	--	0.27	Ω
V_SD	源漏正向电压	I_F=10A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

电机驱动电机驱动与调速控制（Motor drive）。
DC-DC 转换器开关型 DC-DC 功率变换。
电源开关电源通断与负载开关。
电磁阀驱动电磁阀、螺线管驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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