当前位置：首页 / 产品 / FRD 单管

STTH12R06G 国产替代Fast Recovery Diode

Fast Recovery Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压 V_RRM：600V
平均整流正向电流 I_F(AV)：12A
正向浪涌电流 I_FSM：100A（t_p=10ms）
低正向压降 V_F：2.9V（Max）@ I_F=12A / T_j=25℃；1.8V（Max）@ T_j=125℃
软恢复特性，低热阻 R_th(j-c)=1.7℃/W
最高结温 T_j：175℃
封装：D²PAK（TO-263）

STTH12R06G 是一款 600V/12A 的快恢复整流二极管，正向压降低、恢复特性软、热阻小，适用于开关电源、功率因数校正（PFC）与续流整流场合，为意法半导体（ST）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_j (℃)
D²PAK	600	12	100	≤2.9	175

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	600	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（δ=0.5，T_C=125℃）	12	A
I_F(RMS)	正向有效值电流	30	A
I_FSM	正向浪涌电流（t_p=10ms，正弦）	100	A
T_j	最高结温	175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	正向压降	I_F=12A；T_j=25℃	--	2.9	V
V_F	正向压降	I_F=12A；T_j=125℃	--	1.8	V
I_R	反向漏电流	V_R=V_RRM；T_j=25℃	--	45	µA
I_R	反向漏电流	V_R=V_RRM；T_j=125℃	--	600	µA

应用

开关电源开关模式电源（SMPS）整流与输出整流。
功率因数校正交错拓扑 PFC 电路的升压二极管。
续流二极管功率开关电路的续流与钳位。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号