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STTA506F 国产替代Ultrafast Recovery Diode

Ultrafast Recovery Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：600V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：5A
均方根正向电流（I_F(RMS)）：20A
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：55A（t_p=10ms 正弦）
正向压降（V_F）：1.75V（Max）@ I_F=5A，T_j=25℃；1.5V @ T_j=125℃
反向恢复时间（t_rr）：50ns（Max）
绝缘全包封 TO-220FP，可直接贴散热器
封装：TO-220FP

STTA506F 是一款 600V / 5A 的超快恢复二极管，采用全包封绝缘 TO-220FP 封装，恢复时间短、软恢复特性好，适合作为 240V 市电场合的续流二极管与 PFC 升压二极管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	R_th(j-c) (℃/W)	T_j (℃)	Structure
TO-220FP	Single	600	5	55	1.75	50	6.0	-55 ~ 150	Silicon Ultrafast

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	600	V
V_RWM	工作峰值反向电压	600	V
V_R	直流阻断电压	600	V
I_F(AV)	平均整流正向电流	5	A
I_F(RMS)	均方根正向电流	20	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（t_p=10ms，正弦）	55	A
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	6.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=5A；T_j=25℃	--	1.75	V
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=5A；T_j=125℃	--	1.5	V
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM	--	100	µA
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_j=125℃	--	2	mA
t_rr	最大反向恢复时间	I_F=0.5A	--	50	ns

应用

开关电源次级整流与续流。
功率因数校正PFC 升压二极管。
电机驱动逆变桥续流与制动回路。
显示器与家电电源240V 市电输入的高频整流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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