STP80PF55P-Channel Power MOSFET

P-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：-55V（Min）
漏极电流（I_D）：-80A（单脉冲 -320A）
低导通电阻：R_DS(on)≤18mΩ @ V_GS=-10V，I_D=-40A
漏极耗散功率（P_D）：300W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-2 ~ -4V
100% 雪崩测试，批次一致性高
封装：TO-220（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

STP80PF55 是一款硅 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，具有 -55V/-80A 的电压电流能力与 18mΩ 的极低导通电阻，抗 dv/dt 能力强、100% 雪崩测试，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、电源开关与电磁阀驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-220	P-Channel	-55	±16	-80	-320	300	18	-2 ~ -4	175

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-55	V
V_GS	栅源电压（连续）	±16	V
I_D	漏极电流（连续） @ T_C=25℃	-80	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-320	A
P_D	漏极耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最高工作结温	-55 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-0.25mA	-55	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=-10V；I_D=-0.25mA	-2.0	-4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-40A	--	18	mΩ
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±16V；V_DS=0V	--	±0.1	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-55V；V_GS=0V	--	-1.0	µA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-40A；V_GS=0V	--	-1.3	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
电源开关电源开关（Power switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀驱动（Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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