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STD2805T4 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：-60V
集电极电流 I_C：-5A（峰值 I_CM=-10A）
总耗散功率 P_tot：15W @ T_C=25℃
极低饱和压降 V_CE(sat)：-0.3V @ I_C=-2A
直流电流增益 h_FE：85（Min）@ I_C=-5A
特征频率 f_T：150MHz（Typ.）
封装：TO-252（DPAK）

STD2805T4 是一款 -60V/-5A 的低压快速开关 PNP 功率三极管，采用 Base Island 平面工艺，饱和压降极低、电流增益高，适用于 CCFL 驱动、电压调节器、继电器驱动及高效率低压开关场合。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_tot (W)	h_FE	f_T (MHz)	T_j (℃)
TO-252 (DPAK)	-60	-5	15	85	150	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流	-5	A
I_CM	集电极峰值电流	-10	A
I_B	基极电流	-2	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃
T_J	工作结温	150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	8.33	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻	100	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-100µA；I_E=0	-60	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-100µA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-0.1	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-150mA	--	-0.3	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-5A	--	-0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-50mA	-0.9	-1.2	V
h_FE	直流电流增益	I_C=-100mA；V_CE=-2V	200	400	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	85	--	--
f_T	特征频率	V_CE=-10V；I_C=-50mA	--	150	MHz
C_CBO	集电极-基极电容	V_CB=-10V；f=1MHz	--	60	pF

应用

CCFL 驱动冷阴极荧光灯（CCFL）驱动电路。
电压调节器线性稳压与电压调节输出级。
继电器驱动继电器线圈驱动（Relay drivers）。
高效率低压开关低压大电流开关与功率变换。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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