N-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
STB18N60M2 是一款 N 沟道超结功率 MOSFET，具有 600V 耐压、低导通电阻与优化的开关特性，适用于开关电源及 LLC 谐振变换器等高效功率变换应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2PAK | Single-N | 600 | ±25 | 13 | 52 | 280 | 2.0~4.0 | 110 | Silicon N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 600 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | ±25 | V |
| ID | 漏极电流（连续，TC=25℃） | 13 | A |
| IDM | 漏极电流（脉冲） | 52 | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 110 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.14 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V；ID=1mA | 600 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=0.25mA | 2.0 | 4.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=6.5A | -- | 280 | mΩ |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=±25V；VDS=0V | -- | ±10 | µA |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=600V；VGS=0V | -- | 1.0 | µA |
| VSD | 正向导通电压 | IS=13A；VGS=0V | -- | 1.6 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。
公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）
电话：0510-85346300
官网：www.iscsemi.com
地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号