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RY5012NSilicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V
集电极电流（I_C）：-12A，脉冲 -20A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 360 @ I_C=-2A
表面贴装封装，适合自动化贴片生产
封装：TO-263（D2PAK，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极 / 4 集电极散热片）

RY5012N 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有 -60V 集电极-基极电压、-50V 集电极-发射极电压与 -12A 集电极电流能力，饱和压降低、热阻小，适用于 DC-DC 变换器、应急灯逆变器与通用功率开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-263 (D2PAK)	Single-P	-60	-50	-6	-12	-0.5	60	360	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-50	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-80mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-80mA	--	-1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-1V	60	360	--

应用

DC-DC 变换器开关型 DC-DC 变换器的功率开关与调整应用。
应急灯逆变器应急照明逆变电路的功率逆变应用。
通用开关通用电源与负载通路的开关控制应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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