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RY2530SSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=1.5A
集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：60V（Min）
集电极电流（I_C）：25A（峰值 40A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.8V（Max）@ I_C=15A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.25℃/W
批次一致性好，性能稳定可靠
封装：D2PAK（TO-263）

RY2530S 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有 60V/25A 的电压电流能力、低饱和压降与良好的直流电流增益，适用于通用功率放大器与开关电路等应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
D2PAK (TO-263)	Single-N	60	60	5	25	1.8	25	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	40	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=1.5A	--	1.8	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=5A	--	4.0	V
V_BE(on)-1	基极-发射极导通电压	I_C=15A；V_CE=4V	--	2.0	V
V_BE(on)-2	基极-发射极导通电压	I_C=25A；V_CE=4V	--	4.0	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=60V；V_EB=0	--	0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=4V	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=4V	15	--	--

应用

通用功率放大器通用功率放大器（General Purpose Power Amplifier）应用。
开关应用通用开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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