Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
RY1030S 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有 60V/10A 的电压电流能力与 1.1V 的低饱和压降，适用于功率放大器、高速开关以及稳压电源等应用。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2PAK (TO-263) | Single-N | 70 | 60 | 5 | 10 | 1.1 | 20 | 100 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 70 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 60 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 10 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 6 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 75 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.67 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=50mA；IB=0 | 60 | -- | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=4A；IB=0.4A | -- | -- | 1.1 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=10A；IB=3.3A | -- | -- | 8.0 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=4A；VCE=4V | -- | -- | 1.8 | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=30V；IB=0 | -- | -- | 0.7 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=70V；IE=0 | -- | -- | 1.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=5V；IC=0 | -- | -- | 5.0 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=4A；VCE=4V | 20 | -- | 100 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=10A；VCE=4V | 5 | -- | -- | -- |
| fT | 特征频率（增益带宽积） | IC=0.5A；VCE=10V；f=500kHz | -- | -- | 2.0 | MHz |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。
公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）
电话：0510-85346300
官网：www.iscsemi.com
地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号