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RY1020TSilicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-70V
集电极电流（I_C）：-10A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.1V（Max）@ I_C=-4A
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 90 @ I_C=-4A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.67℃/W
与 RY1030T（NPN）互补配对
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

RY1020T 是 ISC 自主型号硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 -60V/-10A 的电压电流能力与低饱和压降，与 NPN 型 RY1030T 互补配对，适用于通用功率放大与开关电路等应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	70	60	5	10	1.1	20	90	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-3.3A	--	-8.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4A；V_CE=-4V	--	-1.8	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.7	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-70V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流（高温）	V_CB=-70V；I_E=0；T_C=150℃	--	-10	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-4V	20	90	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	5	--	--

应用

通用功率放大通用功率放大（General-purpose amplifier）应用。
开关应用开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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