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RJK1529DPK 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源电压：V_DSS=150V
漏极电流：I_D=70A @ T_C=25℃
低导通电阻：R_DS(on)=25mΩ（Max）@ V_GS=10V
低漏电流、高速开关
100% 雪崩测试（100% avalanche tested）
封装：TO-247（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

RJK1529DPK 是一款 150V / 70A N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，导通电阻低至 25mΩ，开关速度快、批次一致性好，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、电源开关与电磁阀驱动等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-247	150	±20	70	210	150	25	2.0~4.0	-55~150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	150	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	70	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	210	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	最高工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.833	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	150	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=35A	--	25	mΩ
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0	--	±0.1	μA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=150V；V_GS=0	--	1.0	μA
V_SD	体二极管正向压降	I_S=70A；V_GS=0	--	1.5	V

应用

电机驱动直流电机、步进电机的功率驱动。
DC-DC 变换器开关电源与 DC-DC 变换器的主开关管。
电磁阀驱动电磁阀、继电器的功率开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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