RHRP8120 国产替代Hyperfast Rectifier Diode

Hyperfast Rectifier Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：1200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：8A @ T_C=140℃
峰值整流正向电流（I_FRM）：16A（方波 20kHz）
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：100A（半波单相 60Hz）
正向压降：V_F=3.2V（Max）@ I_F=8A，T_j=25℃
超快软恢复：t_rr=55ns @ I_F=1A
低反向漏电流、高浪涌能力
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.0℃/W
封装：TO-220AC

RHRP8120 是一款 1200V/8A 超快恢复整流二极管，采用 TO-220AC 封装，具备超快软恢复特性（恢复时间为超快恢复二极管的一半）、低存储电荷与低反向漏电流，可有效抑制开关过程中的振铃与噪声，适用于开关电源的续流/箝位、功率开关电路与通用整流，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_J (℃)	Structure
TO-220AC	Single	1200	8	100	3.2	175	Silicon Hyperfast

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	1200	V
V_RWM	工作峰值反向电压	1200	V
V_R	直流阻断电压	1200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流 @ T_C=140℃	8	A
I_FRM	重复峰值浪涌电流（方波 20kHz）	16	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（半波单相 60Hz）	100	A
T_J	结温	-40 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=8A；T_j=25℃	--	3.2	V
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=8A；T_C=150℃	--	2.6	V
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=V_RWM；T_j=25℃	--	100	µA
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=V_RWM；T_j=150℃	--	500	µA
t_rr	最大反向恢复时间	I_F=1A；di/dt=200A/µs	--	55	ns

应用

开关电源续流开关电源的续流与箝位二极管。
功率开关电路逆变器、变换器中的功率开关回路。
PFC 电路功率因数校正电路的升压二极管。
通用整流高频整流的通用场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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