当前位置：首页 / 产品 / MOSFET 单管

NVATS5A304PLZ 国产替代Silicon P-Channel MOSFET

Silicon P-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-60V
栅源电压（V_GS）：±20V
漏极电流（I_D）：-120A @ T_C=25℃
漏源导通电阻（R_DS(on)）：6.5mΩ（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-50A
总耗散功率（P_tot）：108W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：-1.0 ~ -3.0V
最高工作结温（T_j）：175℃
封装：ATPAK（与 DPAK / TO-252 引脚兼容）

NVATS5A304PLZ 是一款 -60V / -120A 的 P 沟道功率 MOSFET，采用 ATPAK 封装，导通电阻低至 6.5mΩ，栅极电荷小、开关损耗低，适用于反向电池保护、负载开关与汽车前照明等大电流开关场合。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_tot (W)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	Structure
ATPAK	-60	±20	-120	-480	108	6.5	-1.0 ~ -3.0	Silicon P-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	-60	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	-120	A
I_DP	漏极电流（脉冲）	-480	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	108	W
T_j	最高工作结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.38	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=-250µA	-60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=-10V；I_D=-1mA	-1.0	-3.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-50A	--	6.5	mΩ
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±16V；V_DS=0	--	±10	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-60V；V_GS=0	--	-10	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=-100A；V_GS=0	--	-1.5	V

应用

反向电池保护汽车电子中防止电源极性接反损坏后级电路。
负载开关大电流负载的通断控制与电源分配。
汽车前照明车灯驱动、调光与矩阵照明电路。
汽车车身控制车身电子模块的电源开关与保护。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号