NTD20N06L 国产替代N-Channel Logic Level MOSFET

N-Channel Logic Level MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：60V（Min）
漏极电流（I_D）：20A @ T_a=25℃（脉冲 60A）
静态导通电阻：R_DS(on)=48mΩ（Max）@ V_GS=5V
逻辑电平驱动，栅极阈值电压 1.0 ~ 2.0V
栅源电压（V_GS）：±15V
总耗散功率（P_D）：60W @ T_C=25℃
最高结温 175℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W
封装：TO-252（DPAK）（1 栅极 / 2、4 漏极 / 3 源极）

NTD20N06L 是一款 60V/20A 逻辑电平 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）贴片封装，具有 48mΩ 的低导通电阻与 175℃ 的最高结温，可在 5V 栅压下充分导通，适用于电源、变换器、电机控制与桥式电路等低压高速开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-252 (DPAK)	N-Channel	60	±15	20	60	60	0.048	1.0~2.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	60	V
V_GS	栅源电压（连续）	±15	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_a=25℃	20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	60	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-55 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=0.25mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	1.0	2.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=5V；I_D=10A	--	48	mΩ
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±15V；V_DS=0	--	±100	nA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=60V；V_GS=0	--	1.0	µA
V_SD	二极管正向压降	I_S=20A；V_GS=0	--	1.2	V

应用

开关电源开关电源（Power supplies）应用。
变换器变换器（Converters）应用。
电机控制功率电机控制（Power motor controls）应用。
桥式电路桥式电路（Bridge circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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