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NJW0281G 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：250V
集电极电流（I_C）：15A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=5A
优异的增益线性度与宽安全工作区（SOA）
与 NJW0302G（PNP）互补配对，增益匹配偏差小
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
封装：TO-3PN

NJW0281G 是一款硅 NPN 音频功率三极管，具有 250V/15A 的电压电流能力、优异的增益线性度与宽安全工作区，与 PNP 型 NJW0302G 互补配对，适用于高端消费类音频产品与专业音频功率放大器输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-N	250	250	5	15	1.0	75	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	250	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流	1.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	250	--	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=250V；I_E=0A	--	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	--	5.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	75	--	150	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	75	--	150	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=5V	75	--	150	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=5A；V_CE=5V	--	--	1.2	V

应用

高端消费类音频产品高端消费类音频产品（High-End Consumer Audio Products）应用。
专业音频功率放大器专业音频功率放大器（Professional Audio Amplifiers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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