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MURD620CT 国产替代Ultrafast Dual Rectifier

Ultrafast Dual Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：3.0A / 单管，6.0A / 整管（T_C=140℃）
反向恢复时间（t_rr）：35ns（超快恢复）
正向压降（V_F）：≤1.13V @ I_F=6A（T_C=25℃）
低漏电流，共阴双管结构（Common Cathode）
ESD 等级：人体模型 3B（>8kV）、机器模型 C（>400V）
封装：DPAK（TO-252），表面贴装

MURD620CT 是一款 200V/6A 双超快恢复整流二极管，共阴双管结构、DPAK 表面贴装封装，35ns 反向恢复时间与低压降特性使其适合开关电源、逆变器及续流二极管场合，为 onsemi 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	t_rr (ns)	T_j (℃)	Configuration
DPAK	200	3.0×2（6.0）	50	≤1.13	35	-65~175	共阴双管

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM / V_RWM / V_R	峰值重复反向电压 / 工作峰值反向电压 / 直流阻断电压	200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（单管，T_C=140℃）	3.0	A
I_F(AV)	平均整流正向电流（整管，T_C=140℃）	6.0	A
I_F	峰值重复正向电流（方波，占空比 0.5，T_C=145℃）	6.0	A
I_FSM	不重复峰值浪涌电流（60Hz 半波）	50	A
T_j	工作结温	-65 ~ 175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻（单管）	9	℃/W
R_th(j-a)	结到环境热阻（单管）	80	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 ≤1%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	正向压降	I_F=3A；T_C=25℃	--	0.96	V
V_F	正向压降	I_F=6A；T_C=25℃	--	1.13	V
I_R	反向电流	V_R=额定；T_J=25℃	--	5	µA
I_R	反向电流	V_R=额定；T_J=125℃	--	250	µA
t_rr	反向恢复时间	I_F=1A；di/dt=50A/µs；V_R=30V	--	35	ns
t_rr	反向恢复时间	I_F=0.5A；I_R=1A；I_REC=0.25A	--	25	ns

应用

开关电源开关型电源（Switching power supplies）中的输出整流。
逆变器逆变器（Inverters）整流回路。
续流二极管作续流二极管（Free wheeling diodes）使用。
高频整流高频开关电路中的快恢复整流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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