P-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
MTP2P50E 是一款 P 沟道高压功率 MOSFET，具有 -500V 耐压与快速恢复体二极管，适用于电源、变换器与 PWM 电机控制等高压高速开关应用，特别适合对二极管速度与换流安全工作区要求较高的桥式电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220C | Single-P | -500 | ±20 | -2 | -6 | 6000 | -2.0~-4.0 | 75 | Silicon P-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | -500 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | ±20 | V |
| ID | 漏极电流（连续） | -2 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲，tp≤10µs） | -6 | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 75 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.67 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V；ID=-0.25mA | -500 | -- | V |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=-500V；VGS=0V | -- | -10 | µA |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=±20V；VDS=0V | -- | ±100 | nA |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=-0.25mA | -2.0 | -4.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=-10V；ID=-1A | -- | 6.0 | Ω |
| VSD | 二极管正向压降 | ISD=-2A；VGS=0V | -- | -3.5 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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