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MJL1302A 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-260V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-260V
集电极电流（I_C）：-15A；基极电流（I_B）：-1.5A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
优异的直流电流增益线性度：h_FE=75 ~ 150 @ I_C=-0.5A ~ -5A
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-3.0V（Max）@ I_C=-10A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.63℃/W
与 MJL3281A 互补配对
封装：TO-264

MJL1302A 是一款硅 PNP 音频功率三极管，具有 -260V/-15A 的高耐压大电流能力与优异的增益线性度，适用于高端消费音频产品与专业音频放大器，与 MJL3281A 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-264	Single-P	-260	-260	-5	-15	-3.0	75	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-260	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-260	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流	-1.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.63	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-260	--	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-260V；I_B=0	--	--	-50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	--	-5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	75	--	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	75	--	150	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-5V	75	--	150	--
h_FE-4	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-5V	75	--	150	--
h_FE-5	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-5V	45	--	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-1A	--	--	-3.0	V

应用

高端消费音频高端消费音频产品（High-End Consumer Audio Products）。
专业音频放大器专业音频放大器（Professional Audio Amplifiers）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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