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MJF45H11 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-80V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：36W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-8A
直流电流增益（h_FE）：40（Min）@ I_C=-4A
与 MJF44H11（NPN）互补配对
封装：TO-220F（绝缘全包封）

MJF45H11 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220F 绝缘全包封，具有 80V/10A 的电压电流能力、低饱和压降与快速开关特性，与 MJF44H11（NPN）构成互补对，适用于开关稳压器、变换器、功率放大器的输出级与驱动级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-80	-80	-5	-10	-1.0	40	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	36	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0A	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-10	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-1V	60	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-1V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-8A；I_B=-0.4A	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压电源的功率开关与驱动级。
DC-DC 变换器各类直流变换器的功率输出级。
音频功率放大音频功放的输出级，与 MJF44H11 互补推挽。
通用功率开关继电器、电磁阀、灯负载的功率驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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