MJF44H11 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：10A
集电极耗散功率（P_C）：36W @ T_C=25℃（降额 0.288W/℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=8A
直流电流增益（h_FE）：60（Min）@ I_C=2A
与 MJF45H11（PNP）互补配对
封装：TO-220F（全包封绝缘型）

MJF44H11 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220F 全包封绝缘封装，无需额外绝缘垫片即可安装于散热器，具有 80V/10A 的电压电流能力、36W 的耗散功率与低饱和压降、快速开关特性，与 MJF45H11（PNP）互补配对，适用于开关稳压器、变换器与功率放大器的输出级或驱动级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	80	80	5	10	1.0	60	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃（降额 0.288W/℃）	36	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_A=25℃	2.0	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.5	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0A	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=1V	60	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=1V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.4A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching Regulators）输出级与驱动级。
变换器变换器（Converters）应用。
功率放大通用功率放大（General Purpose Power Amplifier）。
感性负载驱动继电器、电磁阀等感性负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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