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MJF18004 国产替代Switch-mode NPN Power Transistor

Switch-mode NPN Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

MJF18004 是一款面向 220V 市电开关电源与电子镇流器应用的 NPN 开关型功率三极管,具有 450V/5A 的电压电流能力与高且平坦的电流增益,关断时无电流拖尾,采用隔离的 TO-220F(FullPak)封装,为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)ICM (A)PD (W)VCE(sat) (V)Structure
TO-220FSingle-N1000450951035 (TC=25℃)0.75Silicon NPN

绝对最大额定值(TC=25℃)

符号参数数值单位
VCBO集电极-基极电压1000V
VCEO集电极-发射极电压450V
VEBO发射极-基极电压9V
IC集电极电流(连续)5A
ICM集电极电流(峰值)10A
IB基极电流(连续)2A
IBM基极电流(峰值)4A
PD总耗散功率 @ TC=25℃(25℃ 以上按 0.28W/℃ 降额)35W
Tj工作结温150℃
Tstg存储温度-65 ~ 150℃

热特性

符号参数最大值单位
Rth j-c结-壳热阻3.55℃/W
Rth j-a结-环境热阻62.5℃/W

电气特性(Tj=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
VCEO(SUS)集电极-发射极维持电压IC=0.1A;L=25mH450--V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=1A;IB=0.1A;TC=125℃--0.6V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=2A;IB=0.4A;TC=125℃--0.8V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=2.5A;IB=0.5A--0.75V
VBE(sat)基极-发射极饱和压降IC=1A;IB=0.1A--1.1V
VBE(sat)基极-发射极饱和压降IC=2A;IB=0.4A--1.25V
VBE(sat)基极-发射极饱和压降IC=2.5A;IB=0.5A--1.3V
ICES集电极截止电流VCES=额定;VEB=0--0.1mA
ICEO集电极截止电流VCE=额定;IB=0--0.1mA
IEBO发射极截止电流VEB=9V;IC=0--0.1mA
hFE-1直流电流增益IC=1A;VCE=2.5V12----
hFE-2直流电流增益IC=1A;VCE=5V1436--
hFE-3直流电流增益IC=2A;VCE=1V6----
hFE-4直流电流增益IC=5mA;VCE=5V10----
fT特征频率(典型)IC=0.5A;VCE=10V;f=1.0MHz13--MHz
Cob集电极输出电容(典型)IE=0;VCB=10V;f=1.0MHz--45pF
ton开通时间(阻性负载,占空比≤10%,脉宽 20µs)VCC=250V;IC=2.5A;IB1=IB2=0.5A--0.6µs
ts存储时间VCC=250V;IC=2.5A;IB1=IB2=0.5A--3.0µs
tf下降时间VCC=250V;IC=2.5A;IB1=IB2=0.5A--0.4µs

应用

  1. 开关电源220V 线控开关电源(Switch-mode Power Supply)应用。
  2. 电子镇流器电子镇流器(Electronic Light Ballasts)应用。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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