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MJE800 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=1.5A
高直流电流增益：h_FE=750（Min）@ I_C=1.5A，V_CE=3V
达林顿结构
集电极电流（I_C）：4A；基极电流（I_B）：0.1A
总耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
封装：TO-126

MJE800 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有高直流电流增益与单片达林顿结构，适用于低速开关与通用放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N (Darlington)	60	60	5	4	2.5	750	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_B	基极电流（连续）	0.1	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0A	60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V，I_E=0A	--	100	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V，I_E=0A	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0A	--	2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1.5A，V_CE=3V	750	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=4A，V_CE=3V	100	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A，I_B=30mA	--	2.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A，I_B=40mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1.5A，V_CE=3V	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A，V_CE=3V	--	3.0	V

应用

低速开关低速开关（Low-Speed Switching）应用。
通用放大通用放大（General Purpose Amplifier）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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