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MJE520 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：30V
集电极-发射极电压（V_CEO）：30V
集电极电流（I_C）：3A，脉冲 7A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=500mA
h_FE 线性度好，适合音频功率输出
批次间参数一致性好，工作稳定可靠
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

MJE520 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-126 封装，具有 30V 集电极-发射极电压与 3A 集电极电流能力，耗散功率 25W，饱和压降低、h_FE 线性度好，专为音频功率放大器的输出级与驱动级设计，也可用于电源调整与通用功率开关，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	30	30	4	3	0.5	20	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	30	V
V_CEO	集电极-发射极电压	30	V
V_EBO	发射极-基极电压	4	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=100µA；I_E=0	30	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=100mA	30	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=100µA；I_C=0	4	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	0.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=30V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	20	--	--
f_T	特征频率	I_C=50mA；V_CE=10V	--	30	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	20	pF

应用

音频功率放大音频功放输出级与驱动级应用。
电源调整串联稳压电源的调整管应用。
通用开关通用功率开关与继电器驱动应用。
电机驱动小型直流电机驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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